VISCF真空感应单晶炉

一、主要原理及用途

  该炉是生产单晶片的专用设备。它是应用感应加热的原理将金属熔化,然后将熔融的金属浇注到经预热的模壳内。拉单晶过程中采用水冷并控制抽拉速度,创造凝固沿温度梯度大于80℃/cm的特殊工艺条件,从而拉制出理想的单晶叶片。

主要技术参数
额定容量
Kg
最高温度
极限压力
Pa
压升率
Pa/h
加热功率
KVA
8~20 1700 熔炼室 铸造室 5.5
5×10-2 5×10-1 30 63
中频功率
Kw
中频频率
Hz
中频电压
V
抽拉速度
Mm/min
快速升降速度
 Mm/min
100 2500 250 0.5~10 400
 

二、主要结构及组成
  该结构多为立式结构。由炉体、感应线圈、进电系统、加热器、抽拉装置、真空系统、测温加料装置、中间转阀、水冷系统、液压系统、工作台、电控系统、磁性调压器、中频电源等组成。
三、主要功能 
   在熔炼过程中可在不破坏熔炼室真空情况下进行测温、加料和合金成分调整等。在真空条件下,通过中间转阀的开关由传动机构实现水冷结晶器升降。抽拉机构通过传动拉秆(抽拉速度可调)下移动形成一个完整的单晶叶片。